Circuit intégré IR2153SPBF

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Circuit intégré IR2153SPBF. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: SO8. Classe de tension: 600V. Conditionnement: tubus. Configuration: composant monté en surface (CMS). Délai de coupure tf [µsec.]: 40ns. Famille de circuit intégré: gate driver, high-/low-side. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Fonction: Demi-pont MOSFET. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 8. Nombre de canaux: 2. Nombre de circuits: 1. Nombre de sorties: 2. Puissance: 0.625W. RoHS: oui. Technologie: MOSFET. Temps de commutation: 80ns. Température de fonctionnement: -40...125°C. Température maxi: +125°C.. Tension de sortie: 625.3V. Type de circuit intégré: high-/low-side switch, gate driver, high-/low-side. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. Type de conditionnement: tubus. [V]: +600V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:27

Documentation technique (PDF)
IR2153SPBF
25 paramètres
Boîtier
SO8
Classe de tension
600V
Conditionnement
tubus
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Délai de coupure tf [µsec.]
40ns
Famille de circuit intégré
gate driver, high-/low-side
Famille de composants
Circuit de commande MOSFET/IGBT
Fonction
Demi-pont MOSFET
Montage/installation
SMD
Nombre de bornes
8
Nombre de canaux
2
Nombre de circuits
1
Nombre de sorties
2
Puissance
0.625W
RoHS
oui
Technologie
MOSFET
Temps de commutation
80ns
Température de fonctionnement
-40...125°C
Température maxi
+125°C.
Tension de sortie
625.3V
Type de circuit intégré
high-/low-side switch, gate driver, high-/low-side
Type de circuits
Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont
Type de conditionnement
tubus
[V]
+600V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier