Circuit intégré L6384ED

Circuit intégré L6384ED

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.95$
5-24
2.63$
25-49
2.42$
50-99
2.28$
100+
2.13$
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Circuit intégré L6384ED. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Boîtier: SO. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation de puissance maxi: 750mW. Equivalences: L6384ED013TR. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Fonction: 'Dual High Voltage Half Bridge Driver'. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 8. Remarque: courant de repos 100uA. RoHS: oui. Spec info: version améliorée du L6384D. Température de fonctionnement: -45...+125°C. Température maxi: +125°C.. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont. VCC: 0.3...14.6V. [V]: +16.6V/600V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:17

Documentation technique (PDF)
L6384ED
20 paramètres
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Boîtier
SO
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Dissipation de puissance maxi
750mW
Equivalences
L6384ED013TR
Famille de composants
Circuit de commande MOSFET/IGBT
Fonction
'Dual High Voltage Half Bridge Driver'
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
8
Nombre de circuits
1
Nombre de connexions
8
Remarque
courant de repos 100uA
RoHS
oui
Spec info
version améliorée du L6384D
Température de fonctionnement
-45...+125°C
Température maxi
+125°C.
Type de circuits
Circuit de commande MOSFET/IGBT en demi-pont
VCC
0.3...14.6V
[V]
+16.6V/600V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics