Circuit intégré mémoire AT45DB081E-SSHN-B

Circuit intégré mémoire AT45DB081E-SSHN-B

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.98$
5-19
7.99$
20-97
7.38$
98+
6.83$
Quantité en stock: 70

Circuit intégré mémoire AT45DB081E-SSHN-B. Boîtier: SO8. Fréquence d'horloge: n/a. Information: n/a. Interface: SPI. MSL: 1. Particularités: -. Série: n/a. Temps d'accès: 200ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Type de mémoire: FLASH - NOR. Produit d'origine constructeur: Adesto. Quantité en stock actualisée le 28/02/2026, 10:05

Documentation technique (PDF)
AT45DB081E-SSHN-B
8 paramètres
Boîtier
SO8
Interface
SPI
MSL
1
Temps d'accès
200ns
Température de fonctionnement
-40...+85°C
Type de montage
SMD
Type de mémoire
FLASH - NOR
Produit d'origine constructeur
Adesto