Circuit intégré mémoire SST25VF016B-50-4I-S2AF
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Circuit intégré mémoire SST25VF016B-50-4I-S2AF. Boîtier: SO8, SO8-W. Capacité mémoire: 16Mbit. Fréquence de fonctionnement: 50MHz. Interface: SPI. Montage/installation: SMD. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -40...85°C. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Type de circuit intégré: Mémoire. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 16:40
SST25VF016B-50-4I-S2AF
10 paramètres
Boîtier
SO8, SO8-W
Capacité mémoire
16Mbit
Fréquence de fonctionnement
50MHz
Interface
SPI
Montage/installation
SMD
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-40...85°C
Tension de fonctionnement
2.7...3.6V
Type de circuit intégré
Mémoire
Type de mémoire
mémoire Flash à bus série