Diode 1N5408, DO-27, 1000V, 3A, 3A, 200A, 3A, DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 1000V. IF(AV): 3A. Courant redressé moyen par diode: 3A. IFSM: 200A. If [A]: 3A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Cj: 40pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 200A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Courant: 3A. Famille de composants: Diode de redressement standard. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 200A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: 1N54. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil maxi: <1.0V / 3A. Tension de seuil: 1.2V, 1.1V. Tension inverse maxi: 1kV, 1000V. Trr Diode (Min.): 5us. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.2V @ 3A. Produit d'origine constructeur: Dc Components Co. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 14:24