Diode 30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V

Diode 30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.56$
5-49
0.48$
50-99
0.42$
100-199
0.36$
200+
0.29$
Quantité en stock: 3490

Diode 30BQ100, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC (8.1x6.2x2.6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: 3J. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.96V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:54

Documentation technique (PDF)
30BQ100
19 paramètres
IF(AV)
3A
IFSM
800A (tp=5us), 70A (tp=10ms)
Boîtier
DO-214
Boîtier (selon fiche technique)
SMC (8.1x6.2x2.6mm)
VRRM
100V
Cj
115pF
IRM (max)
5mA
IRM (min)
0.5mA
Marquage sur le boîtier
3J
Matériau semi-conducteur
Sb
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
0.96V
Tension de seuil Vf (min)
0.62V
Produit d'origine constructeur
Vishay