Diode BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V

Diode BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0418$
50-99
0.0377$
100+
0.0336$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 2396
Minimum: 10

Diode BAS16LT-1, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), 318–08, SOT–23 (TO–236AB), 75V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Fonction: diode de commutation. IRM (max): 50uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: A6s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS A6s, A6t. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 715mV. Trr Diode (Min.): 6 ns. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01

Documentation technique (PDF)
BAS16LT-1
22 paramètres
IF(AV)
200mA
IFSM
500mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
318–08, SOT–23 (TO–236AB)
VRRM
75V
Cj
2pF
Fonction
diode de commutation
IRM (max)
50uA
IRM (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
A6s
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS A6s, A6t
RoHS
oui
Structure diélectrique
Anode-cathode
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
715mV
Trr Diode (Min.)
6 ns
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor
Quantité minimum
10

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