Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V
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Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 450mA, 0.3A. Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Température: +150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 70V, 85V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01