Courant redressé moyen par diode
5A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
200A
Courant de fuite inverse
<5uA / 800V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
diode de redressement rapide au silicium
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Propriétés des éléments semi-conducteurs
commutation rapide
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Temps de récupération inverse (max)
200ns
Température de fonctionnement
-50...+175°C
Tension de conduction (tension de seuil)
1.3V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
800V
Tension de seuil Vf (max)
1.3V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Tension de seuil maxi
<1.3V / 5A
Tension inverse maxi
800V
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
200 ns
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor