Diode BYV28-200, SOD-64 ( Glass ), 3.5A, 90A, SOD-64 Glass, 200V

Diode BYV28-200, SOD-64 ( Glass ), 3.5A, 90A, SOD-64 Glass, 200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.88$
5-24
1.62$
25-49
1.47$
50-99
1.34$
100+
1.15$
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Diode BYV28-200, SOD-64 ( Glass ), 3.5A, 90A, SOD-64 Glass, 200V. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). IF(AV): 3.5A. IFSM: 90A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Conditionnement: Ammo Pack. Courant d'impulsion max.: 90A. Courant: 3.5A. Date de production: 201412. Fonction: 'Avalanche Sinterglass Diode Fast'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: BYV28-200. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 30ns. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 200V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Unité de conditionnement: 2500. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15

Documentation technique (PDF)
BYV28-200
36 paramètres
Boîtier
SOD-64 ( Glass )
IF(AV)
3.5A
IFSM
90A
Boîtier (selon fiche technique)
SOD-64 Glass
VRRM
200V
Cj
190pF
Conditionnement
Ammo Pack
Courant d'impulsion max.
90A
Courant
3.5A
Date de production
201412
Fonction
'Avalanche Sinterglass Diode Fast'
IRM (max)
100uA
IRM (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
BYV28-200
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Propriétés des éléments semi-conducteurs
'glass passivated'
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--90A, t=10mS
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Temps de réaction
30ns
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de conduction (tension de seuil)
1.1V
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
0.89V
Tension de seuil
1.1V
Tension inverse maxi
200V
Trr Diode (Min.)
30 ns
Type d'élément semi-conducteur
diode
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
Unité de conditionnement
2500
Produit d'origine constructeur
Vishay