| Quantité en stock: 59 |
Diode BYV79E-200, TO-220, 12.7A, 14A, 150A, TO-220-2, 200V
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.54$
5-24
2.23$
25-49
2.00$
50-99
1.78$
100+
1.54$
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| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 143 |
Diode BYV79E-200, TO-220, 12.7A, 14A, 150A, TO-220-2, 200V. Boîtier: TO-220. IF(AV): 12.7A. Courant redressé moyen par diode: 14A. IFSM: 150A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2. VRRM: 200V. Configuration des diodes: indépendant. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Série: BYV79. Temps de récupération inverse (max): 30ns. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.83V. Tension de seuil maxi: <1.05V / 14A. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15
BYV79E-200
27 paramètres
Boîtier
TO-220
IF(AV)
12.7A
Courant redressé moyen par diode
14A
IFSM
150A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220-2
VRRM
200V
Configuration des diodes
indépendant
Fonction
diode de redressement ultra rapide
IRM (max)
50uA
IRM (min)
5uA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm 150Ap t=10ms
Structure diélectrique
Anode-cathode
Série
BYV79
Temps de récupération inverse (max)
30ns
Température
+150°C
Tension de seuil Vf (max)
1.05V
Tension de seuil Vf (min)
0.83V
Tension de seuil maxi
<1.05V / 14A
Trr Diode (Min.)
20 ns
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
THT
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors