Diode DD1800, D3x12mm, 0.02A

Diode DD1800, D3x12mm, 0.02A

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Diode DD1800, D3x12mm, 0.02A. Boîtier: D3x12mm. Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 0.02A. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 3A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Courant: 0.3A. Famille de composants: Diode au silicium. Ifsm [A]: 3A. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 150ns. Température maxi: +150°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 40V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 18 kV. Tension inverse maxi: 18kV. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 150 ns. [V]: 40V @ 3A. Produit d'origine constructeur: Diotec. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DD1800
22 paramètres
Boîtier
D3x12mm
If [A]
0.02A
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
3A
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA
Courant
0.3A
Famille de composants
Diode au silicium
Ifsm [A]
3A
Montage/installation
THT
Nombre de bornes
2
RoHS
oui
Structure semi-conductrice
diode
Temps de réaction
150ns
Température maxi
+150°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
40V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
18 kV
Tension inverse maxi
18kV
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
150 ns
[V]
40V @ 3A
Produit d'origine constructeur
Diotec