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Diode DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V
Quantité
Prix unitaire
1-3
53.53$
4-7
50.97$
8-11
49.01$
12-19
47.02$
20+
43.67$
| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 3 |
Diode DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. IF(AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: double diode à récupération rapide. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.17V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 10. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45
DSEI2X101-06A
24 paramètres
IF(AV)
2x96A
IFSM
1200A
Boîtier
ISOTOP ( SOT227B )
Boîtier (selon fiche technique)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
600V
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
250W
Fonction
double diode à récupération rapide
IRM (max)
20mA
IRM (min)
1mA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
à visser
Nombre de connexions
4
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
'Epitaxial Diode'
Température de fonctionnement
-40...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
1.17V
Trr Diode (Min.)
35 ns
Unité de conditionnement
10
Produit d'origine constructeur
IXYS