Diode DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 2x123A. IF(AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..20mA. Dissipation de puissance maxi: 357W. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Fonction: double diode à récupération rapide. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Ifsm [A]: 1200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 10. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.1V @ 120A. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45