Diode DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

Diode DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.63$
5-14
6.74$
15-29
6.12$
30-59
5.68$
60+
4.99$
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Quantité en stock: 66

Diode DSEI30-12A, TO-247, TO-247AD, 26A, 28A, 200A, TO-247AD, 1200V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AD. If [A]: 26A. IF(AV): 28A. IFSM: 200A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.75mA..7mA. Dissipation de puissance maxi: 138W. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: 'Fast Recovery'. Ifsm [A]: 210A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2.2V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 30. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 60 ns. [V]: 2.55V @ 30A. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DSEI30-12A
33 paramètres
Boîtier
TO-247
Boîtier (norme JEDEC)
TO-247AD
If [A]
26A
IF(AV)
28A
IFSM
200A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AD
VRRM
1200V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
0.75mA..7mA
Dissipation de puissance maxi
138W
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
'Fast Recovery'
Ifsm [A]
210A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
375Ap t=10ms, TVJ=150°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
'Epitaxial Diode'
Température de fonctionnement
-40...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1.2 kV
Tension de seuil Vf (max)
2.55V
Tension de seuil Vf (min)
2.2V
Trr Diode (Min.)
40 ns
Unité de conditionnement
30
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
60 ns
[V]
2.55V @ 30A
Produit d'origine constructeur
IXYS