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Diode DSEK60-06A, TO-247, TO-247AD, 2x30A, 30A, 300A, TO-247AD, 600V
Quantité
Prix unitaire
1-4
13.60$
5-9
12.29$
10-24
11.49$
25-49
10.85$
50+
10.03$
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Diode DSEK60-06A, TO-247, TO-247AD, 2x30A, 30A, 300A, TO-247AD, 600V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AD. If [A]: 2x30A. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 100uA..7mA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Double: oui. Famille de composants: double diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Ifsm [A]: 320A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Structure diélectrique: Cathode commune. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 25. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.6V @ 37A. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45
DSEK60-06A
36 paramètres
Boîtier
TO-247
Boîtier (norme JEDEC)
TO-247AD
If [A]
2x30A
IF(AV)
30A
IFSM
300A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AD
VRRM
600V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
100uA..7mA
Dissipation de puissance maxi
125W
Double
oui
Famille de composants
double diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
'Fast Recovery'
IRM (max)
100uA
IRM (min)
50uA
Ifsm [A]
320A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--375Ap Tp--10uS
Structure diélectrique
Cathode commune
Technologie
'Epitaxial Diode (FRED)'
Température maxi
+150°C.
Température
+150°C
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
600V
Tension de seuil Vf (max)
1.6V
Tension de seuil Vf (min)
1.4V
Trr Diode (Min.)
35 ns
Unité de conditionnement
25
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
50 ns
[V]
1.6V @ 37A
Produit d'origine constructeur
IXYS