Diode MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A

Diode MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A

Quantité
Prix unitaire
1+
3.14$
Quantité en stock: 1700

Diode MBRD650CTT4G, D-PAK, TO-252, 2 X 3A. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. If [A]: 2 X 3A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.1mA..15mA. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Ifsm [A]: 75A. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 50V. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 0.7V @ 3A. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

MBRD650CTT4G
13 paramètres
Boîtier
D-PAK
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
If [A]
2 X 3A
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
0.1mA..15mA
Famille de composants
diode de redressement Schottky, montage CMS
Ifsm [A]
75A
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+175°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
50V
[V]
0.7V @ 3A
Produit d'origine constructeur
Onsemi