Diode MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V

Diode MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.82$
5-24
1.58$
25-49
1.43$
50-99
1.32$
100+
1.18$
Quantité en stock: 109

Diode MUR860G, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
MUR860G
21 paramètres
IF(AV)
8A
IFSM
100A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AC
VRRM
600V
Fonction
diode de redressement de puissance
IRM (max)
500uA
IRM (min)
10uA
Marquage sur le boîtier
U860
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
diode de redressement ultra rapide
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Tension de seuil Vf (max)
1.5V
Tension de seuil Vf (min)
1.2V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor