Diode SM4007, DO-213, DO-213AB, 1000V, 1A, 1A, 1A, 10A, DO-213AB ( 2.5x5mm )

Diode SM4007, DO-213, DO-213AB, 1000V, 1A, 1A, 1A, 10A, DO-213AB ( 2.5x5mm )

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0755$
50-99
0.0674$
100-199
0.0593$
200+
0.0511$
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Quantité en stock: 3825
Minimum: 10

Diode SM4007, DO-213, DO-213AB, 1000V, 1A, 1A, 1A, 10A, DO-213AB ( 2.5x5mm ). Boîtier: DO-213. Boîtier (norme JEDEC): DO-213AB. VRRM: 1000V. Courant redressé moyen par diode: 1A. If [A]: 1A. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Configuration des diodes: indépendant. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant d'impulsion max.: 30A. Courant de fuite inverse: <50uA / 2000V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Courant: 1A. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Fonction: Version CMS 1N4007. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Ifsm [A]: 100A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: 'glass passivated'. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 10Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: SM40. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.1V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Tension de seuil maxi: <1.1V / 1A. Tension de seuil: 1.1V. Tension inverse maxi: 1kV, 1000V. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: SMD. Unité de conditionnement: 5000. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: -. [V]: 1.1V @ 1A. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:27

Documentation technique (PDF)
SM4007
46 paramètres
Boîtier
DO-213
Boîtier (norme JEDEC)
DO-213AB
VRRM
1000V
Courant redressé moyen par diode
1A
If [A]
1A
IF(AV)
1A
IFSM
10A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-213AB ( 2.5x5mm )
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant d'impulsion max.
30A
Courant de fuite inverse
<50uA / 2000V
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA..50uA
Courant
1A
Famille de composants
Diode de redressement montée en surface (CMS)
Fonction
Version CMS 1N4007
IRM (max)
50uA
IRM (min)
5uA
Ifsm [A]
100A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Propriétés des éléments semi-conducteurs
'glass passivated'
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm 10Ap
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Série
SM40
Temps de récupération inverse (max)
1500ns
Température de fonctionnement
-50...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1.1V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1 kV
Tension de seuil Vf (max)
1.1V
Tension de seuil Vf (min)
1.1V
Tension de seuil maxi
<1.1V / 1A
Tension de seuil
1.1V
Tension inverse maxi
1kV, 1000V
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
SMD
Unité de conditionnement
5000
[V]
1.1V @ 1A
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc
Quantité minimum
10