Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V

Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V

Quantité
Prix unitaire
10-19
0.0440$
20-99
0.0314$
100-499
0.0262$
500-999
0.0231$
1000+
0.0188$
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Quantité en stock: 10543
Minimum: 10

Diode TS4148RYG, SMD 0805, 150mA, 0.15A, 500mA, 100V. Boîtier: SMD 0805. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 150mA. If [A]: 0.15A. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. Autre nom: IN4148. Cj: 4pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Famille de composants: Diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Diodes haute vitesse. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Ifsm [A]: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 75V. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 1V @ 100mA. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:40

TS4148RYG
32 paramètres
Boîtier
SMD 0805
IF(AV)
150mA
If [A]
0.15A
IFSM
500mA
VRRM
100V
Autre nom
IN4148
Cj
4pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA
Famille de composants
Diode pour petits signaux
Fonction
Diodes haute vitesse
IRM (max)
50uA
IRM (min)
25nA
Ifsm [A]
2A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-65...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
75V
Tension de seuil Vf (max)
1V
Tension de seuil Vf (min)
1V
Trr Diode (Min.)
4 ns
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
4 ns
[V]
1V @ 100mA
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor
Quantité minimum
10