Diode TSSW3U60, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V

Diode TSSW3U60, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.98$
5-9
1.76$
10-24
1.60$
25-49
1.46$
50+
1.29$
Quantité en stock: 188

Diode TSSW3U60, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Cj: -. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. IRM (min): -. Marquage sur le boîtier: W3U60. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V. Trr Diode (Min.): -. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:49

TSSW3U60
19 paramètres
IF(AV)
3A
IFSM
50A
Boîtier
SOD-123
Boîtier (selon fiche technique)
SOD123W SMA (2.9x1.9mm)
VRRM
60V
Fonction
diode de redressement Schottky à faible tension de seuil
IRM (max)
1mA
Marquage sur le boîtier
W3U60
Matériau semi-conducteur
Sb
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--50Ap (tp=8.3ms)
Structure diélectrique
Anode-cathode
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
0.58V
Tension de seuil Vf (min)
0.39V
Produit d'origine constructeur
Taiwan Semiconductor