Transistor canal N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Transistor canal N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.45$
5-49
0.38$
50-99
0.34$
100-199
0.31$
200+
0.26$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 332

Transistor canal N 2N7000-ONS, 0.2A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. Id (T=25°C): 0.2A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 5 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 60pF. C (out): 25pF. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Id(imp): 0.5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 2n7000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Poids: 0.18g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

2N7000-ONS
27 paramètres
Id (T=25°C)
0.2A
Idss (maxi)
1000uA
Résistance passante Rds On
5 Ohms
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension Vds(max)
60V
C (in)
60pF
C (out)
25pF
Dissipation de puissance maxi
0.35W
Id(imp)
0.5A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
2n7000
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Poids
0.18g
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
10 ns
Td(on)
10 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
0.8V
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor

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