Transistor canal N 2SK1120, TO-3PN ( 2-16C1B ), 1 kV, 8A, 300uA, 1.5 Ohms, 2-16C1B, 1000V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 4A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Marquage du fabricant: K1120. Marquage sur le boîtier: K1120. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Poids: 4.6g. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Convertisseur DC-DC et application d'entraînement de moteur. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31