Transistor canal N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Transistor canal N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
15.60$
5-9
14.45$
10-24
13.05$
25+
12.66$
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Transistor canal N 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Hitachi. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK1170
26 paramètres
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.27 Ohms
Boîtier
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-3P
Tension Vds(max)
500V
C (in)
2800pF
C (out)
780pF
Dissipation de puissance maxi
120W
Fonction
transistor MOSFET N
Id(imp)
80A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Spec info
High speed switching Low drive current
Td(off)
200 ns
Td(on)
32 ns
Technologie
V-MOS
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
500 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Hitachi

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