Transistor canal N 2SK1213, 8A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 600V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31