Transistor canal N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

Transistor canal N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V

Quantité
Prix unitaire
1-2
25.64$
3-4
24.42$
5-9
21.53$
10+
19.95$
Quantité en stock: 9

Transistor canal N 2SK1271, 3A, 5A, 100uA, 4 Ohms, TO-3PN 13-16A1A, 1400V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-3PN 13-16A1A. Tension Vds(max): 1400V. C (in): 1800pF. C (out): 500pF. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 240W. Fonction: Commutation haute tension. Id(imp): 10A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Nec. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

2SK1271
26 paramètres
Id (T=100°C)
3A
Id (T=25°C)
5A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
4 Ohms
Boîtier
TO-3PN 13-16A1A
Tension Vds(max)
1400V
C (in)
1800pF
C (out)
500pF
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
240W
Fonction
Commutation haute tension
Id(imp)
10A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
220 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement
-...+150°C
Tension grille/source VGS (off) max.
3.5V
Tension grille/source VGS (off) min.
1.5V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
1400 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Nec