Transistor canal N 2SK1489, 21F1B, 1 kV. Boîtier: 21F1B. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 2SK1489. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36