Transistor canal N 2SK1529, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 180V. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: K1529. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31