Transistor canal N 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

Transistor canal N 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.01$
5-24
3.49$
25-49
3.27$
50+
3.04$
Quantité en stock: 22

Transistor canal N 2SK2507, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 50V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2507. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 110 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Type MOS à effet de champ (L2-TT-MOSV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2507
30 paramètres
Id (T=25°C)
25A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.046 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
50V
C (in)
900pF
C (out)
130pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
30W
Fonction
Yfs--8-16S
Id(imp)
75A
Idss (min)
10uA
Marquage sur le boîtier
K2507
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
110 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
Type MOS à effet de champ (L2-TT-MOSV)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
0.8V
Produit d'origine constructeur
Toshiba