Transistor canal N 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1800pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31