Transistor canal N 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

Transistor canal N 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.00$
5-24
1.65$
25-49
1.53$
50+
1.41$
Quantité en stock: 25

Transistor canal N 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( 2-5K1B ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 150pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Fonction: Transistor à effet de champ. Id(imp): 6A. Marquage sur le boîtier: ZA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: Suppresseur. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Type MOS (L2.TT.MOSV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2615
29 paramètres
Id (T=100°C)
1.5A
Id (T=25°C)
2A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.33 Ohms
Boîtier
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-89 ( 2-5K1B )
Tension Vds(max)
60V
C (in)
150pF
C (out)
70pF
Dissipation de puissance maxi
1.5W
Fonction
Transistor à effet de champ
Id(imp)
6A
Marquage sur le boîtier
ZA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
Suppresseur
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
150 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
Type MOS (L2.TT.MOSV)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
100 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
0.8V
Produit d'origine constructeur
Toshiba