Transistor canal N 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 3.19 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. C (in): 450pF. C (out): 75pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2647. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Produit d'origine constructeur: Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31