Transistor canal N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Transistor canal N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.90$
5-24
5.47$
25-49
5.14$
50+
4.85$
Quantité en stock: 26

Transistor canal N 2SK2651, 3A, 6A, 500uA, 1.78 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.78 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 900V. C (in): 900pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Produit d'origine constructeur: Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2651
27 paramètres
Id (T=100°C)
3A
Id (T=25°C)
6A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
1.78 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F15
Tension Vds(max)
900V
C (in)
900pF
C (out)
130pF
Dissipation de puissance maxi
50W
Fonction
Commutation à haute vitesse
Id(imp)
24A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
70 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
FAP-IIS Series
Température de fonctionnement
-...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.5V
Produit d'origine constructeur
Fuji Electric