Transistor canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.96$
5-9
4.35$
10-24
3.92$
25-49
3.66$
50+
3.26$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 59

Transistor canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 550pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K3563. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3563
27 paramètres
Id (T=100°C)
5A
Id (T=25°C)
5A
Idss
100uA
Idss (maxi)
5A
Résistance passante Rds On
1.35 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
500V
C (in)
550pF
C (out)
70pF
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
20A
Marquage sur le boîtier
K3563
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
50 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Trr Diode (Min.)
1400 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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