Transistor canal N 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor canal N 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.35$
5-24
4.74$
25-49
4.00$
50+
3.59$
Quantité en stock: 55

Transistor canal N 2SK4012-Q, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2400pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 52A. Marquage sur le boîtier: K4012. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 95 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS VI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
2SK4012-Q
29 paramètres
Id (T=25°C)
13A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.33 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
500V
C (in)
2400pF
C (out)
220pF
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
Applications de régulateur à découpage
Id(imp)
52A
Marquage sur le boîtier
K4012
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
95 ns
Td(on)
70 ns
Technologie
Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS VI)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1000 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba