Transistor canal N 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V

Transistor canal N 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.13$
5-9
4.58$
10-24
4.24$
25-49
3.96$
50+
3.53$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 17

Transistor canal N 2SK4013-Q, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10U1B ). Tension Vds(max): 800V. C (in): 1400pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 18A. Marquage sur le boîtier: K4013 Q. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 220 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS IV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
2SK4013-Q
30 paramètres
Id (T=25°C)
6A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
1.35 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F ( 2-10U1B )
Tension Vds(max)
800V
C (in)
1400pF
C (out)
130pF
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
Applications de régulateur à découpage
Id(imp)
18A
Marquage sur le boîtier
K4013 Q
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
220 ns
Td(on)
80 ns
Technologie
Transistor à effet de champ, type MOS (TT-MOS IV)
Température de fonctionnement
-...+150°C
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1100 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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