Transistor canal N 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V

Transistor canal N 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.50$
5-9
4.87$
10-24
4.35$
25+
4.03$
Quantité en stock: 37

Transistor canal N 2SK904, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 900pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 80W. Fonction: Commutation à grande vitesse. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Samsung B4054-0018. Td(off): 150 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
2SK904
28 paramètres
Id (T=100°C)
3A
Id (T=25°C)
3A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
4 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
800V
C (in)
900pF
C (out)
90pF
Dissipation de puissance maxi
80W
Fonction
Commutation à grande vitesse
Id(imp)
12A
Idss (min)
10uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Spec info
Samsung B4054-0018
Td(off)
150 ns
Td(on)
60 ns
Technologie
V-MOS S-L
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
400 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2.1V
Produit d'origine constructeur
Fuji Electric