Transistor canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V

Transistor canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V

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Transistor canal N 3SK293-TE85L-F, SOT-343, 12.5V. Boîtier: SOT-343. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 12.5V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +125°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:53

3SK293-TE85L-F
12 paramètres
Boîtier
SOT-343
Tension drain-source Uds [V]
12.5V
Capacité de grille Ciss [pF]
2pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
30mA
Dissipation maximale Ptot [W]
0.1W
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Nombre de bornes
4
RoHS
oui
Température maxi
+125°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
1V
Produit d'origine constructeur
Toshiba