Transistor canal N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Transistor canal N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

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Transistor canal N AO3400A, SOT-23 ( TO-236 ), 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22M Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Résistance passante Rds On: 22M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Charge: 6nC. Courant de drain: 4.7A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.4W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: ±12V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

Documentation technique (PDF)
AO3400A
35 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Id (T=100°C)
4.7A
Id (T=25°C)
5.7A
Idss
1uA
Idss (maxi)
5.7A
Résistance passante Rds On
22M Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension Vds(max)
30 v
'enhanced'
C (in)
630pF
C (out)
75pF
Charge
6nC
Courant de drain
4.7A
Dissipation de puissance maxi
1uA
Fonction
Commutation ou applications PWM
Id(imp)
25A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
1.4W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
21.5 ns
Td(on)
3.2 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect Transistor'
Tension drain - source
30V
Tension grille-source
±12V
Tension grille/source Vgs
12V
Trr Diode (Min.)
16.8 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors