Transistor canal N AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal N AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.89$
5-49
1.56$
50-99
1.32$
100+
1.17$
Quantité en stock: 72

Transistor canal N AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.02mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AO4710
30 paramètres
Id (T=100°C)
10A
Id (T=25°C)
12.7A
Idss (maxi)
20mA
Résistance passante Rds On
0.0098 Ohms
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
1980pF
C (out)
317pF
Dissipation de puissance maxi
3.1W
Fonction
FET dans SMPS, commutation de charge
Id(imp)
60A
Idss (min)
0.02mA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
27 ns
Td(on)
5.5 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
12V
Trr Diode (Min.)
11.2 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.3V
Vgs(th) min.
1.5V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors