Transistor canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Transistor canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.56$
5-24
2.22$
25-49
1.96$
50-99
1.73$
100+
1.43$
+5 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Produit obsolète, bientôt retiré du catalogue. Dernières pièces disponibles
Quantité en stock: 41

Transistor canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. : 'enhanced'. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Charge: 13.1nC. Courant de drain: 5.7A. Dissipation de puissance maxi: 178W. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 178W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

AOD9N50
33 paramètres
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Id (T=100°C)
5.7A
Id (T=25°C)
9A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.71 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
D-PAK TO-252AA
Tension Vds(max)
500V
'enhanced'
C (in)
962pF
C (out)
98pF
Charge
13.1nC
Courant de drain
5.7A
Dissipation de puissance maxi
178W
Id(imp)
27A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
178W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
55 ns
Td(on)
24 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
500V
Tension grille-source
±30V
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
332ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3.3V