Transistor canal N AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Transistor canal N AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.72$
5-24
3.34$
25-49
3.09$
50+
2.86$
Quantité en stock: 20

Transistor canal N AP40T03GS, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03GS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AP40T03GS
29 paramètres
Id (T=100°C)
24A
Id (T=25°C)
28A
Idss (maxi)
25uA
Résistance passante Rds On
25m Ohms
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
655pF
C (out)
145pF
Dissipation de puissance maxi
31W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
95A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
40T03GS
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
16 ns
Td(on)
6 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Température de fonctionnement
-55°C...+150°C
Tension grille/source Vgs
25V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Advanced Power