Transistor canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

Transistor canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
17.21$
5-14
16.09$
15-29
15.17$
30-59
14.45$
60+
13.11$
Quantité en stock: 13

Transistor canal N APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1685pF. C (out): 210pF. Courant de collecteur: 56A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: Alimentations à découpage haute fréquence. Ic(puls): 65A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 55ms. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Advanced Power. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:56

Documentation technique (PDF)
APT15GP60BDQ1G
27 paramètres
Ic(T=100°C)
27A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension collecteur/émetteur Vceo
600V
C (in)
1685pF
C (out)
210pF
Courant de collecteur
56A
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
250W
Fonction
Alimentations à découpage haute fréquence
Ic(puls)
65A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Td(off)
29 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
POWER MOS 7® IGBT
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.2V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2.7V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
3V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
6V
Tension grille - émetteur VGE
20V
Trr Diode (Min.)
55ms
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
Advanced Power