| Quantité en stock: 4 |
Transistor canal N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.86$
5-24
1.67$
25-49
1.57$
50-99
1.47$
100+
1.30$
| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 41 |
Transistor canal N BF245B, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 6mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25
BF245B
25 paramètres
Id (T=25°C)
25mA
Idss (maxi)
15mA
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
4pF
C (out)
1.6pF
Dissipation de puissance maxi
300mW
Fonction
HF-VHF
IGF
10mA
Idss (min)
6mA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
non
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
Transistor à effet de champ
Température de fonctionnement
-...+150°C
Tension grille/source VGS (off) max.
3.8V
Tension grille/source VGS (off) min.
1.6V
Tension grille/source Vgs
8V
Type de canal
N
Type de transistor
JFET
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors
Produits équivalents et/ou accessoires pour BF245B
| Quantité en stock: 1094 |