Transistor canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

Transistor canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.66$
5-24
0.55$
25-49
0.48$
50-99
0.43$
100+
0.37$
+5 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Quantité en stock: 217

Transistor canal N BF998, SOT-143, 30mA, 15mA, SOT-143, 12V. Boîtier: SOT-143. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 12V. C (in): 2.1pF. C (out): 1.1pF. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Fonction: Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V. Idss (min): 5mA. Marquage sur le boîtier: MOS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
BF998
23 paramètres
Boîtier
SOT-143
Id (T=25°C)
30mA
Idss (maxi)
15mA
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-143
Tension Vds(max)
12V
C (in)
2.1pF
C (out)
1.1pF
Dissipation de puissance maxi
200mW
Fonction
Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V
Idss (min)
5mA
Marquage sur le boîtier
MOS
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
4
Protection G-S
non
Protection drain-source
non
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température
+150°C
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies