Transistor canal N BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 250pF. C (out): 88pF. Dissipation de puissance maxi: 8.3W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 10nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25