Transistor canal N BSP297, SOT-223, 200V

Transistor canal N BSP297, SOT-223, 200V

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Transistor canal N BSP297, SOT-223, 200V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP297. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

Documentation technique (PDF)
BSP297
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
200V
Capacité de grille Ciss [pF]
300pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.6A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
2 Ohms @ 0.65A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.5W
Délai de coupure tf[nsec.]
160 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BSP297
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
12 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
1.8V
Produit d'origine constructeur
Infineon