Transistor canal N BSS123-FAI, SOT-23, 100V
Quantité
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1-999
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1000+
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| Quantité en stock: 12707 |
Transistor canal N BSS123-FAI, SOT-23, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SA. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36
BSS123-FAI
16 paramètres
Boîtier
SOT-23
Tension drain-source Uds [V]
100V
Capacité de grille Ciss [pF]
40pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.17A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
6 Ohms @ 0.17A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.36W
Délai de coupure tf[nsec.]
20 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
SA
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
10 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2V
Produit d'origine constructeur
Onsemi (fairchild)