Transistor canal N BSS138LT1G-J1, SOT-23, TO-236AB, 50V

Transistor canal N BSS138LT1G-J1, SOT-23, TO-236AB, 50V

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Transistor canal N BSS138LT1G-J1, SOT-23, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: J1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

BSS138LT1G-J1
17 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236AB
Tension drain-source Uds [V]
50V
Capacité de grille Ciss [pF]
50pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.2A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
6 Ohms @ 100mA
Dissipation maximale Ptot [W]
0.225W
Délai de coupure tf[nsec.]
20 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
J1
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
20 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
1.5V
Produit d'origine constructeur
Onsemi