Transistor canal N BSS670S2LH6327XTSA1, SOT-23, 55V
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Transistor canal N BSS670S2LH6327XTSA1, SOT-23, 55V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.54A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 18:53
BSS670S2LH6327XTSA1
15 paramètres
Boîtier
SOT-23
Tension drain-source Uds [V]
55V
Capacité de grille Ciss [pF]
75pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.54A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.43 Ohm @ 0.27A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.36W
Délai de coupure tf[nsec.]
31 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
14 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
1.6V
Produit d'origine constructeur
Infineon